1180 nm GaInNAs quantum well based high power DBR laser diodes

Julkaisussa: High-Power Diode Laser Technology XV
Tekijät: Viheriälä, Jukka;Aho, Antti;Virtanen, Heikki;Koskinen, Mervi;Dumitrescu, Mihail;Guina, Mircea
Tekijöiden määrä: 6
Kieli: englanti
Julkaisutyyppi: A4 Artikkeli konferenssijulkaisussa
Julkaisufoorumiluokka : 0
JUFO-ID: 71479
Julkaisija: SPIE
Julkaisuvuosi: 2017
ISSN: 0277-786X
Emojulkaisun nimi: High-Power Diode Laser Technology XV
Volyymi: 10086
Tieteenala: Tekniikka
Nanoteknologia
Paikalliset tekijät ja heidän affiliaationsa: Aho, Antti - Tampereen teknillinen yliopisto, Fotoniikka
Virtanen, Heikki - Tampereen teknillinen yliopisto, Fotoniikka
Viheriälä, Jukka - Tampereen teknillinen yliopisto, Fotoniikka
Koskinen, Mervi - Tampereen teknillinen yliopisto, Fotoniikka
Dumitrescu, Mihail - Tampereen teknillinen yliopisto, Fotoniikka
Guina, Mircea - Tampereen teknillinen yliopisto, Fotoniikka
Sarja: Proceedings of SPIE
Linkit: https://doi.org/10.1117/12.2251317
https://dx.doi.org/10.1117/12.2251317
Organisaation sisäinen affiliaatio: Tampereen teknillinen yliopisto, Fotoniikka